menu open

±³À°°úÁ¤

±³À°½Åû ¹× ¹®ÀÇ
°í°´»ó´ã½Ç

051-506-0901

home ±³À°°úÁ¤ > Àüüº¸±â

±³À°°úÁ¤

[¹ÝµµÃ¼½Ç¹«°úÁ¤] 8´ë°øÁ¤ - ºÒ¼ø¹° ÁÖÀÔ ¹× È®»ê °øÁ¤

±³À°±â°£ 1°³¿ù
±³À°Àοø 500¸í
±³À°ºñ 50,490¿ø ¼ö°­·á
¿ì¼±Áö¿øÀÚ±âºÎ´ã±Ý : 5,049¿ø
Áß¼Ò±â¾÷ÀÚ±âºÎ´ã±Ý : 10,098¿ø
   ´ë±â¾÷ÀÚ±âºÎ´ã±Ý : 30,294¿ø
ȯ±Þ ¸ð¹ÙÀÏÇнÀ°¡´É
¸Àº¸±â
°úÁ¤¸ñÇ¥

¹ÝµµÃ¼ 8´ë°øÁ¤ Áß ºÒ¼ø¹° ÁÖÀÔ ¹× È®»ê °øÁ¤¿¡ ´ëÇØ ¼³¸íÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.

°­»çÀÌ·Â

[°­»ç¼Ò°³]
°­»ç : ¾öÁß¼·
°æ·Â : Çѱ¹¹ÝµµÃ¼±â¼ú±³À°¿ø
»ï¼ºÀüÀÚÁÖ½Äȸ»ç

ÇнÀ³»¿ë
1Â÷½Ã
CMOS ¼Ò°³¿Í Implant ¿ë¾î Á¤¸®
2Â÷½Ã
ÀÌ¿Â ÁÖÀÔÀÇ °³¿ä
3Â÷½Ã
ÀÌ¿Â ÁÖÀÔ¿¡ ÀÇÇÑ ³óµµºÐÆ÷
4Â÷½Ã
Ion Implant Channeling
5Â÷½Ã
°áÇÔÀÇ ¹ß»ý°ú Annealing (1)
6Â÷½Ã
°áÇÔÀÇ ¹ß»ý°ú Annealing (2)
7Â÷½Ã
ÁýÀûȸ·Î¿¡ÀÇ ÀÀ¿ë
8Â÷½Ã
Process Evaluation & Technology Trend
9Â÷½Ã
DiffusionÀÇ °³¿ä
10Â÷½Ã
»êÈ­°øÁ¤ °³¿ä
11Â÷½Ã
Si/SiO©ü °è¸é°ú »êÈ­¸·ÀÇ ¿ëµµ
12Â÷½Ã
»êÈ­ ¼ÓµµÀÇ ¿µÇâ ¿ä¼Ò¿Í SiO©ü/Si °è¸é ÀüÇÏ
13Â÷½Ã
ºÒ¼ø¹°ÀÇ ÀçºÐÆ÷¿Í Oxide Quality ¿ä±¸ Á¶°Ç
14Â÷½Ã
È®»êÀÇ Á¤ÀÇ
15Â÷½Ã
ANNEAL
16Â÷½Ã
È®»ê °øÁ¤ÀÇ ÃøÁ¤, Æò°¡ ¹× ºÒ·® À¯Çü
Æò°¡±âÁØ
ÁøµµÀ² 80% ÀÌ»ó
ÁøÇàÆò°¡ (½ÃÇè) 10¹®Ç× 30Á¡ (1¹®Ç× 3Á¡), ½ÃÇè°¡´É ÁøµµÀ² 50%ÀÌ»ó , 8Â÷½Ã±îÁö ÇнÀÈÄ ½ÃÇè°¡´É, ½ÃÇè½Ã°£ 60ºÐ
ÃÑ°ýÆò°¡ (½ÃÇè) 20¹®Ç× 60Á¡ (1¹®Ç× 3Á¡) , ¼­¼úÇü 1¹®Á¦ (10Á¡), ½ÃÇè°¡´É ÁøµµÀ² 80%ÀÌ»ó , ½ÃÇè½Ã°£ 60ºÐ
À¯ÀÇ»çÇ× ÁøÇà Æò°¡ : 30Á¡(10¹®Ç×) - ÁøµµÀ² 50% µµ´Þ ½Ã ÀÀ½Ã
ÃÑ°ý Æò°¡(¼­¼úÇü Æ÷ÇÔ) : 70Á¡(21¹®Ç×) - ÁøµµÀ² 80% µµ´Þ ½Ã ÀÀ½Ã
¼ö·á±âÁØ : ÁøÇàÆò°¡, ÃÑ°ýÆò°¡ ÇÕ»ê 60Á¡ ÀÌ»ó
Á¾ÇÕÆò°¡ ÁøµµÀ² 80%ÀÌ»ó, ÁøÇàÆò°¡, ÃÑ°ýÆò°¡ ÇÕ»ê 60Á¡ ÀÌ»ó ¼ö·áµÊ
¼ö·á±âÁØ 60Á¡ ÀÌ»ó

ÈƷùæ¹ý

- ÀÎÅͳÝÀ» ÅëÇÑ À¥±â¹Ý ÇнÀ µî

ÀÌ·±ºÐµé¿¡°Ô ±ÇÀåÇÕ´Ï´Ù.

¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶ °øÁ¤ °ü·Ã Á÷¹« Á¾»çÀÚ