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3D-NAND flash의 이해 (중급)
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환급
모바일학습가능
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3D-NAND flash에 대해 설명할 수 있다.
[강사소개]
강사 : 송복남
학력 : 서울대학교 전자공학
경력 : 에스케이하이닉스 주식회사
(주)윙코
- 1차시
- NAND program operation
- 2차시
- Inhibit bias and Self-boosting
- 3차시
- Verify operation
- 4차시
- ISPP and MLC concept
- 5차시
- Back-gate tunneling and Excess program
- 6차시
- Block erase by FN tunneling
- 7차시
- Disturb and Cell-to-cell interference
- 8차시
- E/W cycle endurance and Data retention
- 9차시
- NAND controller
- 10차시
- NAND flash market & Foundry
- 11차시
- 3D-NAND concept
- 12차시
- 3D-NAND process architecture
- 13차시
- Summary (1)
- 14차시
- Summary (2)
- 15차시
- Summary (3)
- 16차시
- NAND flash memory chip function
| 진도율 | 80% 이상 |
| 진행평가 (시험) | 10문항 30점 (1문항 3점), 시험가능 진도율 50%이상 , 8차시까지 학습후 시험가능, 시험시간 60분 |
| 총괄평가 (시험) | 20문항 60점 (1문항 3점) , 서술형 1문제 (10점), 시험가능 진도율 80%이상 , 시험시간 60분 |
| 유의사항 | 진행 평가 : 30점(10문항) - 진도율 50% 도달 시 응시 총괄 평가(서술형 포함) : 70점(21문항) - 진도율 80% 도달 시 응시 수료기준 : 진행평가,총괄평가 합산 60점 이상 |
| 종합평가 | 진도율 80%이상, 진행평가, 총괄평가 합산 60점 이상 수료됨 |
| 수료기준 | 60점 이상 |
훈련방법
- 인터넷을 통한 웹기반 학습 등
이런분들에게 권장합니다.
반도체 제조 공정 관련 직무 종사자
051-506-0901
